SIZF920DT-T1-GE3

MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5
SIZF920DT-T1-GE3 P1
SIZF920DT-T1-GE3 P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Vishay Siliconix ~ SIZF920DT-T1-GE3

品番
SIZF920DT-T1-GE3
メーカー
Vishay Siliconix
説明
MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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製品パラメータ

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品番 SIZF920DT-T1-GE3
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual), Schottky
FET機能 Standard
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 3.07 mOhm @ 10A, 10V, 1.05 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 29nC @ 10V, 125nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V
電力 - 最大 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-PowerWDFN
サプライヤデバイスパッケージ 8-PowerPair® (6x5)

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