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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
| 品番 | SISF00DN-T1-GE3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET機能 | Standard |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 60A (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 5 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.1V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 53nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2700pF @ 15V |
| 電力 - 最大 | 69.4W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® 1212-8SCD |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® 1212-8SCD |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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SISF00DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12 | - | 94424 | 詳細 |