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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
| 品番 | EGL34AHE3_A/I |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| ダイオードタイプ | Standard |
| 電圧 - DC逆（Vr）（最大） | 50V |
| 電流 - 平均整流（Io） | 500mA |
| 電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If | 1.25V @ 500mA |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 逆回復時間（trr） | 50ns |
| 電流 - 逆リーク（Vr） | 5µA @ 50V |
| 容量Vr、F | 7pF @ 4V, 1MHz |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | DO-213AA (Glass) |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-213AA (GL34) |
| 動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 175°C |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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EGL34A-E3/83 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA | - | 0 | 詳細 |
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EGL34A-E3/98 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA | - | 0 | 詳細 |
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EGL34AHE3/83 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA | - | 0 | 詳細 |
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EGL34AHE3/98 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA | - | 0 | 詳細 |
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EGL34AHE3_A/H | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA | - | 551223 | 詳細 |
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EGL34AHE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA | - | 515660 | 詳細 |
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EGL34B-E3/83 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213 | - | 0 | 詳細 |
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EGL34B-E3/98 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213 | - | 0 | 詳細 |
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EGL34BHE3/83 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213 | - | 0 | 詳細 |
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EGL34BHE3/98 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213 | - | 0 | 詳細 |
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EGL34BHE3_A/H | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213 | - | 551223 | 詳細 |
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EGL34BHE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213 | - | 515660 | 詳細 |