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品番 | TK12E80W,S1X |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 800V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 11.5A (Ta) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4V @ 570µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 23nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1400pF @ 300V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 165W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 450 mOhm @ 5.8A, 10V |
動作温度 | 150°C |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |