2SK1119(F)

MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB
2SK1119(F) P1
2SK1119(F) P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ 2SK1119(F)

品番
2SK1119(F)
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
2SK1119(F).pdf 2SK1119(F) PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 2SK1119(F)
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 1000V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 4A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3.5V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 60nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 700pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 100W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 3.8 Ohm @ 2A, 10V
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3

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