TH58NVG3S0HBAI6

8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 3.3V
TH58NVG3S0HBAI6 P1
TH58NVG3S0HBAI6 P1
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Toshiba Memory America, Inc. ~ TH58NVG3S0HBAI6

品番
TH58NVG3S0HBAI6
メーカー
Toshiba Memory America, Inc.
説明
8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 3.3V
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
メモリ
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品番 TH58NVG3S0HBAI6
部品ステータス Active
メモリの種類 Non-Volatile
メモリフォーマット FLASH
技術 FLASH - NAND (SLC)
メモリー容量 8Gb (1G x 8)
クロック周波数 -
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ 25ns
アクセス時間 25ns
メモリインターフェイス Parallel
電圧 - 供給 2.7V ~ 3.6V
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース -
サプライヤデバイスパッケージ 67-VFBGA (6.5x8)

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