S12GC M6G

DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB
S12GC M6G P1
S12GC M6G P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Taiwan Semiconductor Corporation ~ S12GC M6G

品番
S12GC M6G
メーカー
Taiwan Semiconductor Corporation
説明
DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- S12GC M6G PDF online browsing
家族
ダイオード - 整流器 - シングル
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製品パラメータ

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品番 S12GC M6G
部品ステータス Not For New Designs
ダイオードタイプ Standard
電圧 - DC逆(Vr)(最大) 400V
電流 - 平均整流(Io) 12A
電圧 - フォワード(Vf)(最大)@ If 1.1V @ 12A
速度 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) -
電流 - 逆リーク(Vr) 1µA @ 400V
容量Vr、F 78pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース DO-214AB, SMC
サプライヤデバイスパッケージ DO-214AB (SMC)
動作温度 - ジャンクション -55°C ~ 150°C

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