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| 品番 | 1N5819 A0G |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| ダイオードタイプ | Schottky |
| 電圧 - DC逆（Vr）（最大） | 40V |
| 電流 - 平均整流（Io） | 1A |
| 電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If | 600mV @ 1A |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 逆回復時間（trr） | - |
| 電流 - 逆リーク（Vr） | 1mA @ 40V |
| 容量Vr、F | 55pF @ 4V, 1MHz |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | DO-204AL, DO-41, Axial |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-204AL (DO-41) |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 125°C |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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1N5802 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL | - | 262 | 詳細 |
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1N5802US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 1A D5A | - | 181 | 詳細 |
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1N5803 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 1A AXIAL | - | 0 | 詳細 |
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1N5804 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL | - | 478 | 詳細 |
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1N5804US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 1A D5A | - | 104 | 詳細 |
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1N5805 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL | - | 0 | 詳細 |
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1N5806 | Semtech Corporation | D MET 2.5A SFST 150V | - | 0 | 詳細 |
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1N5806/TR | Microsemi Corporation | UFRFRR | - | 12 | 詳細 |
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1N5806C.TR | Semtech Corporation | DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL | - | 0 | 詳細 |
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1N5806E3/TR | Microsemi Corporation | UFRFRR | - | 12 | 詳細 |
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1N5806TR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL | - | 0 | 詳細 |
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1N5806US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 150V 1A D5A | - | 229 | 詳細 |