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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
| 品番 | US6M2GTR |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N and P-Channel |
| FET機能 | Standard |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V, 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.5A, 1A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 80pF @ 10V, 150pF @ 10V |
| 電力 - 最大 | 1W |
| 動作温度 | 150°C |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 6-SMD, Flat Leads |
| サプライヤデバイスパッケージ | TUMT6 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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