BS2130F-GE2

600V HIGH VOLTAGE 3 PHASE BRIDGE
BS2130F-GE2 P1
BS2130F-GE2 P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Rohm Semiconductor ~ BS2130F-GE2

品番
BS2130F-GE2
メーカー
Rohm Semiconductor
説明
600V HIGH VOLTAGE 3 PHASE BRIDGE
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- BS2130F-GE2 PDF online browsing
家族
PMIC - フル、ハーフブリッジドライバ
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製品パラメータ

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品番 BS2130F-GE2
部品ステータス Active
出力構成 Half Bridge (6)
アプリケーション General Purpose
インタフェース Logic
荷重タイプ Inductive, Capacitive
技術 Power MOSFET, IGBT
Rds On(Typ) -
電流出力/チャネル 350mA
電流 - ピーク出力 -
電圧 - 供給 11.5V ~ 20V
電圧 - 負荷 600V (Max)
動作温度 -40°C ~ 125°C (TA)
特徴 Bootstrap Circuit
フォールトプロテクション Current Limiting, UVLO
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
サプライヤデバイスパッケージ 28-SOP

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