HAT2116H-EL-E

MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
HAT2116H-EL-E P1
HAT2116H-EL-E P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Renesas Electronics America ~ HAT2116H-EL-E

品番
HAT2116H-EL-E
メーカー
Renesas Electronics America
説明
MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- HAT2116H-EL-E PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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品番 HAT2116H-EL-E
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 30A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id -
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 26nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1650pF @ 10V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 15W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 8.2 mOhm @ 15A, 10V
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ LFPAK
パッケージ/ケース SC-100, SOT-669

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