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| 品番 | NTLJS1102PTBG |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 8V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.7A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 1.2V, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 720mV @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 25nC @ 4.5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1585pF @ 4V |
| Vgs（最大） | ±6V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 700mW (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 36 mOhm @ 6.2A, 4.5V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-WDFN (2x2) |
| パッケージ/ケース | 6-WDFN Exposed Pad |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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