NSV1C200MZ4T1G

TRANS PNP 100V 2A SOT223
NSV1C200MZ4T1G P1
NSV1C200MZ4T1G P1
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ON Semiconductor ~ NSV1C200MZ4T1G

品番
NSV1C200MZ4T1G
メーカー
ON Semiconductor
説明
TRANS PNP 100V 2A SOT223
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- NSV1C200MZ4T1G PDF online browsing
家族
トランジスタ - バイポーラ(BJT) - シングル
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製品パラメータ

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品番 NSV1C200MZ4T1G
部品ステータス Active
トランジスタタイプ PNP
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 2A
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 100V
Vce飽和(最大)@Ib、Ic 220mV @ 200mA, 2A
電流 - コレクタ遮断(最大) 100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE)(最小)@ Ic、Vce 120 @ 500mA, 2V
電力 - 最大 800mW
周波数 - 遷移 120MHz
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA
サプライヤデバイスパッケージ SOT-223

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