NLV14011UBDR2G

IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SOIC
NLV14011UBDR2G P1
NLV14011UBDR2G P1
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ON Semiconductor ~ NLV14011UBDR2G

品番
NLV14011UBDR2G
メーカー
ON Semiconductor
説明
IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- NLV14011UBDR2G PDF online browsing
家族
ロジック - ゲートおよびインバータ
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品番 NLV14011UBDR2G
部品ステータス Active
ロジックタイプ NAND Gate
回路数 4
入力数 2
特徴 -
電圧 - 供給 3 V ~ 18 V
電流 - 静止(最大) 1µA
電流出力ハイ、ロー 3.5mA, 8.8mA
論理レベル - 低 1 V ~ 2.5 V
論理レベル - 高 4 V ~ 12.5 V
最大伝搬遅延@ V、最大CL 80ns @ 15V, 50pF
動作温度 -55°C ~ 125°C
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 14-SOIC
パッケージ/ケース 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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