BSR58LT1G

JFET N-CH 40V 350MW SOT23
BSR58LT1G P1
BSR58LT1G P1
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ON Semiconductor ~ BSR58LT1G

品番
BSR58LT1G
メーカー
ON Semiconductor
説明
JFET N-CH 40V 350MW SOT23
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- BSR58LT1G PDF online browsing
家族
トランジスタ - JFET
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製品パラメータ

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品番 BSR58LT1G
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS) 40V
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) -
電流 - ドレイン(Idss)Vds(Vgs = 0) 8mA @ 15V
電流ドレイン(Id) - 最大 -
電圧 - カットオフ(VGSオフ)@ Id 800mV @ 1µA
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds -
抵抗 - RDS(オン) 60 Ohm
電力 - 最大 350mW
動作温度 -65°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3 (TO-236)

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