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| 品番 | BAS16DXV6T1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| ダイオード構成 | 2 Independent |
| ダイオードタイプ | Standard |
| 電圧 - DC逆（Vr）（最大） | 75V |
| 電流 - 平均整流（Io）（ダイオードあたり） | 200mA (DC) |
| 電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If | 1.25V @ 150mA |
| 速度 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| 逆回復時間（trr） | 6ns |
| 電流 - 逆リーク（Vr） | 1µA @ 75V |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | SOT-563, SOT-666 |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-563 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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BAS101,215 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 300V 200MA SOT23 | 0 | 詳細 | |
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BAS101S,215 | Nexperia USA Inc. | DIODE ARRAY GP 300V 200MA SOT23 | 0 | 詳細 | |
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BAS116 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT23-3 | - | 0 | 詳細 |
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BAS116 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23 | - | 1546376 | 詳細 |
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BAS116,215 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 75V 215MA SOT23 | 9000 | 詳細 | |
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BAS116,235 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 75V 215MA SOT23 | 90000 | 詳細 | |
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BAS116-7-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT23-3 | - | 0 | 詳細 |
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BAS116E6327HTSA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3 | - | 42000 | 詳細 |
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BAS116E6433HTMA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3 | - | 0 | 詳細 |
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BAS116GWJ | Nexperia USA Inc. | BAS116GW/SOD123/SOD2 | - | 10000 | 詳細 |
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BAS116GWX | Nexperia USA Inc. | BAS116GW/SOD123/SOD2 | - | 3000 | 詳細 |
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BAS116H,115 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 75V 215MA SOD123F | 33000 | 詳細 |