A2T18H450W19SR6

IC TRANS RF LDMOS
A2T18H450W19SR6 P1
A2T18H450W19SR6 P1
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NXP USA Inc. ~ A2T18H450W19SR6

品番
A2T18H450W19SR6
メーカー
NXP USA Inc.
説明
IC TRANS RF LDMOS
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
A2T18H450W19SR6.pdf A2T18H450W19SR6 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - RF
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製品パラメータ

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品番 A2T18H450W19SR6
部品ステータス Active
トランジスタタイプ LDMOS
周波数 1.805GHz ~ 1.88GHz
利得 16.5dB
電圧 - テスト -
電流定格 -
ノイズフィギュア -
電流 - テスト -
電力出力 89W
電圧 - 定格 30V
パッケージ/ケース NI-1230S-8 Variant, Flat Leads
サプライヤデバイスパッケージ NI-1230S-8

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