• お問い合わせ
  • 引用を要求
  • 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • Türkiy
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
    • Vietnam
BOM

JAN2N1893

TRANS NPN 80V 0.5A TO-5
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル › JAN2N1893
JAN2N1893 P1
JAN2N1893 P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Microsemi Corporation ~ JAN2N1893

品番
JAN2N1893
メーカー
Microsemi Corporation
説明
TRANS NPN 80V 0.5A TO-5
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- JAN2N1893 PDF online browsing
家族
トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル
  • 在庫あり$数量個
  • 参考価格 : submit a request

表示よりも数量の多い価格見積依頼を提出

製品パラメータ

すべての製品

品番 JAN2N1893
部品ステータス Active
トランジスタタイプ NPN
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 500mA
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 80V
Vce飽和（最大）@Ib、Ic 5V @ 15mA, 150mA
電流 - コレクタ遮断（最大） 10µA (ICBO)
DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce 40 @ 150mA, 10V
電力 - 最大 800mW
周波数 - 遷移 -
動作温度 -65°C ~ 200°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
パッケージ/ケース TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
サプライヤデバイスパッケージ TO-5

関連製品

すべての製品

画像 品番 メーカー 説明 PDF 在庫あり 見る
JAN1N1184 JAN1N1184 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB - 0 詳細
JAN1N1186 JAN1N1186 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB - 0 詳細
JAN1N1186R JAN1N1186R Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB - 0 詳細
JAN1N1188 JAN1N1188 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 400V 35A DO5 - 1 詳細
JAN1N1188R JAN1N1188R Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB - 0 詳細
JAN1N1190 JAN1N1190 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB - 0 詳細
JAN1N1190R JAN1N1190R Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB - 0 詳細
JAN1N1202A JAN1N1202A Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA - 0 詳細
JAN1N1202AR JAN1N1202AR Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA - 0 詳細
JAN1N1204A JAN1N1204A Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA - 0 詳細
JAN1N1204AR JAN1N1204AR Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA - 0 詳細
JAN1N1206A JAN1N1206A Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA - 0 詳細