APTM10DDAM09T3G

MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
APTM10DDAM09T3G P1
APTM10DDAM09T3G P1
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Microsemi Corporation ~ APTM10DDAM09T3G

品番
APTM10DDAM09T3G
メーカー
Microsemi Corporation
説明
MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- APTM10DDAM09T3G PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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製品パラメータ

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品番 APTM10DDAM09T3G
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Standard
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 139A
Rds On(Max)@ Id、Vgs 10 mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 2.5mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 350nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 9875pF @ 25V
電力 - 最大 390W
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース SP3
サプライヤデバイスパッケージ SP3

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