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| 品番 | APT60D100LCTG |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| ダイオード構成 | 1 Pair Common Cathode |
| ダイオードタイプ | Standard |
| 電圧 - DC逆（Vr）（最大） | 1000V |
| 電流 - 平均整流（Io）（ダイオードあたり） | 60A |
| 電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If | 2.5V @ 60A |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 逆回復時間（trr） | 280ns |
| 電流 - 逆リーク（Vr） | 250µA @ 1000V |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-264-3, TO-264AA |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-264 [L] |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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APT6010B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX | - | 4 | 詳細 |
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APT6013JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227 | - | 2 | 詳細 |
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APT6013LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 43A TO-264 | - | 3 | 詳細 |
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APT6017B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 35A T-MAX | - | 15579 | 詳細 |
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APT6017LFLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 | - | 15 | 詳細 |
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APT6017LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 | - | 25 | 詳細 |
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APT6030BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD | 0 | 詳細 | |
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APT6040BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD | 0 | 詳細 | |
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APT6040BNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD | 0 | 詳細 | |
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APT60D100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247 | - | 375 | 詳細 |
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APT60D100LCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264 | - | 0 | 詳細 |
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APT60D100SG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 60A D3 | - | 0 | 詳細 |