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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
| 品番 | 1N5554US |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| ダイオードタイプ | Standard |
| 電圧 - DC逆（Vr）（最大） | 1000V |
| 電流 - 平均整流（Io） | 3A |
| 電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If | 1.2V @ 9A |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 逆回復時間（trr） | 2µs |
| 電流 - 逆リーク（Vr） | 1µA @ 1000V |
| 容量Vr、F | - |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | SQ-MELF, B |
| サプライヤデバイスパッケージ | B, SQ-MELF |
| 動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 175°C |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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1N5059GP-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC | - | 8000 | 詳細 |
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1N5059GPHE3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC | - | 0 | 詳細 |
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1N5059TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57 | - | 0 | 詳細 |
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1N5059TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57 | - | 0 | 詳細 |
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1N5060 TR | Central Semiconductor Corp | DIODE GEN PURP 400V 1A GPR-1A | - | 0 | 詳細 |
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1N5060GP-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC | - | 8000 | 詳細 |
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1N5060GP-E3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC | - | 0 | 詳細 |
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1N5060GPHE3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC | - | 0 | 詳細 |
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1N5060GPHE3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC | - | 0 | 詳細 |
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1N5060TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57 | - | 0 | 詳細 |
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1N5060TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57 | - | 20000 | 詳細 |
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1N5061 TR | Central Semiconductor Corp | DIODE GEN PURP 600V 1A GPR-1A | - | 0 | 詳細 |