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| 品番 | JANTXV2N5339 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| トランジスタタイプ | NPN |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 5A |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 100V |
| Vce飽和（最大）@Ib、Ic | 1.2V @ 500mA, 5A |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 100µA |
| DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce | 60 @ 2A, 2V |
| 電力 - 最大 | 1W |
| 周波数 - 遷移 | - |
| 動作温度 | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-39 (TO-205AD) |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | - | 0 | 詳細 |
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JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | 詳細 |
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JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | - | 0 | 詳細 |
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JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | - | 1226 | 詳細 |
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JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | 詳細 |
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JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 87 | 詳細 |
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JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 100 | 詳細 |
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JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 39 | 詳細 |
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JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | 詳細 |
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JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 36 | 詳細 |
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JANTX1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 4 | 詳細 |
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JANTX1N1206A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | - | 0 | 詳細 |