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| 品番 | IXTY1R6N50P |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 500V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.6A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 5.5V @ 25µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 3.9nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 140pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 43W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 6.5 Ohm @ 500mA, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252, (D-Pak) |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IXTY01N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK | - | 4699 | 詳細 |
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IXTY01N100D | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA | - | 699 | 詳細 |
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IXTY01N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA | - | 0 | 詳細 |
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IXTY02N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.2A DPAK | - | 0 | 詳細 |
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IXTY02N50D | IXYS | MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK | 30 | 詳細 | |
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IXTY02N50D TRL | IXYS | MOSFET N-CH | - | 31739 | 詳細 |
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IXTY06N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 90A TO-252 | - | 0 | 詳細 |
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IXTY08N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK | - | 1957 | 詳細 |
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IXTY08N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252 | - | 0 | 詳細 |
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IXTY08N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 8A TO-220 | - | 0 | 詳細 |
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IXTY08N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK | 526 | 詳細 | |
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IXTY10P15T | IXYS | MOSFET P-CH 150V 10A TO-252 | 0 | 詳細 |