IXTY1R4N60P TRL

MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK
IXTY1R4N60P TRL P1
IXTY1R4N60P TRL P1
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IXYS ~ IXTY1R4N60P TRL

品番
IXTY1R4N60P TRL
メーカー
IXYS
説明
MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- IXTY1R4N60P TRL PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IXTY1R4N60P TRL
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 1.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 9 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5.5V @ 25µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 5.2nC @ 10V
Vgs(最大) ±30V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 140pF @ 25V
FET機能 -
消費電力(最大) 50W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ TO-252, (D-Pak)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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