IXTX22N100L

MOSFET N-CH 1000V 22A PLUS247
IXTX22N100L P1
IXTX22N100L P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

IXYS ~ IXTX22N100L

品番
IXTX22N100L
メーカー
IXYS
説明
MOSFET N-CH 1000V 22A PLUS247
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IXTX22N100L
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 1000V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 22A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 270nC @ 15V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 7050pF @ 25V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 700W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 600 mOhm @ 11A, 20V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ PLUS247™-3
パッケージ/ケース TO-247-3

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