IXTP160N10T

MOSFET N-CH 100V 160A TO-220
IXTP160N10T P1
IXTP160N10T P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

IXYS ~ IXTP160N10T

品番
IXTP160N10T
メーカー
IXYS
説明
MOSFET N-CH 100V 160A TO-220
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- IXTP160N10T PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IXTP160N10T
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 160A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4.5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 132nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 6600pF @ 25V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 430W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 7 mOhm @ 25A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3

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