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| 品番 | IXTA10P50P |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 500V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 50nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2840pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 300W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 1 Ohm @ 5A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-263 (IXTA) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IXTA02N250 | IXYS | MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263 | - | 0 | 詳細 |
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IXTA02N250HV | IXYS | MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263 | 0 | 詳細 | |
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IXTA02N450HV | IXYS | MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263 | - | 0 | 詳細 |
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IXTA05N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263 | - | 29 | 詳細 |
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IXTA05N100HV | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263 | - | 55 | 詳細 |
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IXTA06N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263 | 550 | 詳細 | |
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IXTA08N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK | - | 107 | 詳細 |
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IXTA08N100D2HV | IXYS | MOSFET N-CH | - | 29271 | 詳細 |
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IXTA08N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263 | - | 0 | 詳細 |
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IXTA08N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263 | - | 0 | 詳細 |
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IXTA08N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK | 596 | 詳細 | |
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IXTA100N04T2 | IXYS | MOSFET N-CH 40V 100A TO-263 | - | 0 | 詳細 |