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BOM

IXCP01N90E

MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-220
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IXCP01N90E
IXCP01N90E P1
IXCP01N90E P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

IXYS ~ IXCP01N90E

品番
IXCP01N90E
メーカー
IXYS
説明
MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-220
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IXCP01N90E.pdf IXCP01N90E PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IXCP01N90E
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 900V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 250mA (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 5V @ 25µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 7.5nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 133pF @ 25V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 40W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 80 Ohm @ 50mA, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3

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