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| 品番 | IS43R86400E-5BLI-TR |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| メモリの種類 | Volatile |
| メモリフォーマット | DRAM |
| 技術 | SDRAM - DDR |
| メモリー容量 | 512Mb (64M x 8) |
| クロック周波数 | 200MHz |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 15ns |
| アクセス時間 | 700ps |
| メモリインターフェイス | Parallel |
| 電圧 - 供給 | 2.3V ~ 2.7V |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 60-TFBGA |
| サプライヤデバイスパッケージ | 60-TFBGA (13x8) |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IS43R86400D-5BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA | 0 | 詳細 | |
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IS43R86400D-5BL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA | 0 | 詳細 | |
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IS43R86400D-5BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA | 0 | 詳細 | |
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IS43R86400D-5BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA | 0 | 詳細 | |
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IS43R86400D-5TL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP | 0 | 詳細 | |
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IS43R86400D-5TL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP | 0 | 詳細 | |
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IS43R86400D-5TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP | 0 | 詳細 | |
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IS43R86400D-5TLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP | 0 | 詳細 | |
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IS43R86400D-6BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 60BGA | 0 | 詳細 | |
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IS43R86400D-6BL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 60BGA | 0 | 詳細 | |
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IS43R86400D-6BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 60BGA | 0 | 詳細 | |
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IS43R86400D-6BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 60BGA | 0 | 詳細 |