IS41C16257C-35TLI

IC DRAM 4MBIT 35NS 40TSOP
IS41C16257C-35TLI P1
IS41C16257C-35TLI P1
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ~ IS41C16257C-35TLI

品番
IS41C16257C-35TLI
メーカー
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
説明
IC DRAM 4MBIT 35NS 40TSOP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
メモリ
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製品パラメータ

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品番 IS41C16257C-35TLI
部品ステータス Active
メモリの種類 Volatile
メモリフォーマット DRAM
技術 DRAM - FP
メモリー容量 4Mb (256K x 16)
クロック周波数 -
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ -
アクセス時間 18ns
メモリインターフェイス Parallel
電圧 - 供給 4.5 V ~ 5.5 V
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 40 Leads
サプライヤデバイスパッケージ 40-TSOP

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