IPD60R600CPATMA1

MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252
IPD60R600CPATMA1 P1
IPD60R600CPATMA1 P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Infineon Technologies ~ IPD60R600CPATMA1

品番
IPD60R600CPATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IPD60R600CPATMA1
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 6.1A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3.5V @ 220µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 27nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 550pF @ 100V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 60W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 600 mOhm @ 3.3A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO252-3
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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