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| 品番 | FF6MR12W2M1B11BOMA1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET機能 | Silicon Carbide (SiC) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 1200V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 200A (Tj) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 5.63 mOhm @ 200A, 15V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 5.55V @ 10mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 496nC @ 15V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 14700pF @ 800V |
| 電力 - 最大 | 20mW (Tc) |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| パッケージ/ケース | Module |
| サプライヤデバイスパッケージ | AG-EASY2BM-2 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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FF6MR12W2M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MODULE 1200V 200A | - | 205 | 詳細 |