画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
| 品番 | BSZ0904NSI |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 40A (Ta), 18A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 17nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1100pF @ 15V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | Schottky Diode (Body) |
| 消費電力（最大） | 2.1W (Ta), 37W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 4 mOhm @ 30A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TSDSON-8-FL |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ013NE2LS5IATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 32A 8SON | 0 | 詳細 | |
 |
BSZ014NE2LS5IFATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 31A 8TSDSON | 0 | 詳細 | |
 |
BSZ017NE2LS5IATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 27A 8SON | 0 | 詳細 | |
 |
BSZ018NE2LS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8 | - | 15000 | 詳細 |
 |
BSZ018NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8 | - | 92112 | 詳細 |
 |
BSZ018NE2LSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8 | - | 15000 | 詳細 |
 |
BSZ018NE2LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8 | - | 87725 | 詳細 |
 |
BSZ019N03LS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8 | - | 45000 | 詳細 |
 |
BSZ019N03LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8 | - | 100038 | 詳細 |
 |
BSZ023N04LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8 | 0 | 詳細 | |
 |
BSZ025N04LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8 | 5000 | 詳細 | |
 |
BSZ028N04LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 21A 8TSDSON | 0 | 詳細 |