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| 品番 | BSC750N10ND G |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET機能 | Standard |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.2A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 75 mOhm @ 13A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 12µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 11nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 720pF @ 50V |
| 電力 - 最大 | 26W |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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BSC750N10ND G | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON | - | 0 | 詳細 |
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BSC750N10NDGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON | - | 104691 | 詳細 |