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| 品番 | BSC072N03LD G |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET機能 | Logic Level Gate |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11.5A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 7.2 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 41nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3500pF @ 15V |
| 電力 - 最大 | 57W |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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BSC0702LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8TDSON | - | 0 | 詳細 |
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BSC070N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8 | - | 20000 | 詳細 |
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BSC070N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A TDSON-8 | 5000 | 詳細 | |
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BSC072N025S G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 40A TDSON-8 | 0 | 詳細 | |
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BSC072N03LD G | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON | - | 20000 | 詳細 |
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BSC072N03LDGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON | - | 113136 | 詳細 |
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BSC072N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 74A 8TDSON | 0 | 詳細 | |
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BSC076N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 | - | 50000 | 詳細 |
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BSC077N12NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 98A 8TDSON | - | 25000 | 詳細 |
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BSC079N03LSCGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14A 8TDSON | 5000 | 詳細 | |
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BSC079N03SG | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8 | 0 | 詳細 | |
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BSC079N10NSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8 | - | 0 | 詳細 |