MURTA40020

DIODE GEN PURP 200V 200A 3 TOWER
MURTA40020 P1
MURTA40020 P2
MURTA40020 P1
MURTA40020 P2
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

GeneSiC Semiconductor ~ MURTA40020

品番
MURTA40020
メーカー
GeneSiC Semiconductor
説明
DIODE GEN PURP 200V 200A 3 TOWER
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
ダイオード - 整流器 - アレイ
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製品パラメータ

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品番 MURTA40020
部品ステータス Active
ダイオード構成 1 Pair Common Cathode
ダイオードタイプ Standard
電圧 - DC逆(Vr)(最大) 200V
電流 - 平均整流(Io)(ダイオードあたり) 200A
電圧 - フォワード(Vf)(最大)@ If 1.3V @ 200A
速度 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) -
電流 - 逆リーク(Vr) 25µA @ 200V
動作温度 - ジャンクション -55°C ~ 150°C
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース Three Tower
サプライヤデバイスパッケージ Three Tower

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