MBR60020CTR

DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER
MBR60020CTR P1
MBR60020CTR P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

GeneSiC Semiconductor ~ MBR60020CTR

品番
MBR60020CTR
メーカー
GeneSiC Semiconductor
説明
DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
ダイオード - 整流器 - アレイ
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製品パラメータ

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品番 MBR60020CTR
部品ステータス Active
ダイオード構成 1 Pair Common Anode
ダイオードタイプ Schottky
電圧 - DC逆(Vr)(最大) 20V
電流 - 平均整流(Io)(ダイオードあたり) 300A
電圧 - フォワード(Vf)(最大)@ If 750mV @ 300A
速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) -
電流 - 逆リーク(Vr) 1mA @ 20V
動作温度 - ジャンクション -
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース Twin Tower
サプライヤデバイスパッケージ Twin Tower

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