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BOM

GKR26/12

DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO4
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › ダイオード - 整流器 - シングル › GKR26/12
GKR26/12 P1
GKR26/12 P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

GeneSiC Semiconductor ~ GKR26/12

品番
GKR26/12
メーカー
GeneSiC Semiconductor
説明
DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO4
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
GKR26/12.pdf GKR26/12 PDF online browsing
家族
ダイオード - 整流器 - シングル
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製品パラメータ

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品番 GKR26/12
部品ステータス Active
ダイオードタイプ Standard
電圧 - DC逆（Vr）（最大） 1200V
電流 - 平均整流（Io） 25A
電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If 1.55V @ 60A
速度 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） -
電流 - 逆リーク（Vr） 4mA @ 1200V
容量Vr、F -
取付タイプ Chassis, Stud Mount
パッケージ/ケース DO-203AA, DO-4, Stud
サプライヤデバイスパッケージ DO-4
動作温度 - ジャンクション -40°C ~ 180°C

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