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| 品番 | GA50JT06-258 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | - |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 600V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 100A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | - |
| Vgs（th）（Max）@ Id | - |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| Vgs（最大） | - |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 769W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 25 mOhm @ 50A |
| 動作温度 | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-258 |
| パッケージ/ケース | TO-258-3, TO-258AA |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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GA50JT06-258 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 600V 100A | 0 | 詳細 | |
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GA50JT12-247 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1.2KV 50A | 77 | 詳細 | |
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GA50JT12-263 | GeneSiC Semiconductor | TRANSISTOR 1200V 100A TO263-7 | - | 0 | 詳細 |
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GA50JT17-247 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1.7KV 100A | 0 | 詳細 | |
 |
GA50K6A1A | TE Connectivity Measurement Specialties | NTC THERMISTOR 50K OHM 0.1C BEAD | - | 486 | 詳細 |
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GA50SICP12-227 | GeneSiC Semiconductor | SIC CO-PACK SJT/RECT 50A 1.2KV | 4 | 詳細 |