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| 品番 | GA100JT12-227 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | - |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 1200V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 160A |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | - |
| Vgs（th）（Max）@ Id | - |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 14400pF @ 800V |
| Vgs（最大） | - |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 535W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 10 mOhm @ 100A |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227 |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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