GA06JT12-247

TRANS SJT 1200V 6A TO-247AB
GA06JT12-247 P1
GA06JT12-247 P1
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GeneSiC Semiconductor ~ GA06JT12-247

品番
GA06JT12-247
メーカー
GeneSiC Semiconductor
説明
TRANS SJT 1200V 6A TO-247AB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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品番 GA06JT12-247
部品ステータス Active
FETタイプ -
技術 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 1200V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 6A (Tc) (90°C)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) -
Vgs(th)(Max)@ Id -
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs -
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds -
Vgs(最大) -
FET機能 -
消費電力(最大) -
Rds On(Max)@ Id、Vgs 220 mOhm @ 6A
動作温度 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-247AB
パッケージ/ケース TO-247-3

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