画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | GA06JT12-247 |
---|---|
部品ステータス | Active |
FETタイプ | - |
技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 1200V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 6A (Tc) (90°C) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | - |
Vgs(th)(Max)@ Id | - |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | - |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | - |
Vgs(最大) | - |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | - |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 220 mOhm @ 6A |
動作温度 | 175°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AB |
パッケージ/ケース | TO-247-3 |