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| 品番 | MB85R256FPFCN-G-BNDE1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| メモリの種類 | Non-Volatile |
| メモリフォーマット | FRAM |
| 技術 | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| メモリー容量 | 256Kb (32K x 8) |
| クロック周波数 | - |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 150ns |
| アクセス時間 | 150ns |
| メモリインターフェイス | Parallel |
| 電圧 - 供給 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 28-TSOP I |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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MB85R256FPF-G-BND-ERE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | IC FRAM 256KBIT PAR 28SOP | 0 | 詳細 | |
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MB85R256FPF-G-BNDE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | IC FRAM 256KBIT 150NS 28SOP | 0 | 詳細 | |
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MB85R256FPFCN-G-BNDE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | IC FRAM 256KBIT 150NS 28TSOP | 0 | 詳細 | |
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MB85R256FPNF-G-JNERE2 | Fujitsu Electronics America, Inc. | IC FRAM 256KBIT 150NS 28SOP | 0 | 詳細 | |
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MB85R256GPF-G-BND-ERE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | IC FRAM 256KBIT PAR 28SOP | - | 0 | 詳細 |
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MB85R256GPF-G-BNDE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | IC FRAM 256KBIT PAR 28SOP | - | 0 | 詳細 |