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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | FDB3860 |
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部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 100V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 6.4A (Ta), 30A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4.5V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 30nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1740pF @ 50V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 3.1W (Ta), 71W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 37 mOhm @ 5.9A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263AB) |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |