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| 品番 | EPC2105 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET機能 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 80V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9.5A, 38A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 14.5 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V |
| 電力 - 最大 | - |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | Die |
| サプライヤデバイスパッケージ | Die |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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