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| 品番 | EPC2100ENGRT |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET機能 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9.5A (Tj), 38A (Tj) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 8 mOhm @ 25A, 5V, 2 mOhm @ 25A, 5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 4mA,2.5V @ 16mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 3.5nC @ 15V, 15nC @ 15V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 380pF @ 15V, 1700pF @ 15V |
| 電力 - 最大 | - |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | Die |
| サプライヤデバイスパッケージ | Die |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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EPC2001 | EPC | TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE | 26500 | 詳細 | |
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EPC2001C | EPC | TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE | 70000 | 詳細 | |
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EPC2007 | EPC | TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE | 0 | 詳細 | |
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EPC2007C | EPC | TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE | 15000 | 詳細 | |
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EPC2010 | EPC | TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE | 5000 | 詳細 | |
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EPC2010C | EPC | TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE | 12000 | 詳細 | |
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EPC2010CENGR | EPC | TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE | 0 | 詳細 | |
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EPC2012 | EPC | TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE | 4000 | 詳細 | |
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EPC2012C | EPC | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE | 21000 | 詳細 | |
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EPC2012CENGR | EPC | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE | 0 | 詳細 | |
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EPC2014 | EPC | TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE | 26000 | 詳細 | |
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EPC2014C | EPC | TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE | 97500 | 詳細 |