ZXMHC6A07N8TC

MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
ZXMHC6A07N8TC P1
ZXMHC6A07N8TC P1
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Diodes Incorporated ~ ZXMHC6A07N8TC

品番
ZXMHC6A07N8TC
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- ZXMHC6A07N8TC PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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品番 ZXMHC6A07N8TC
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 1.39A, 1.28A
Rds On(Max)@ Id、Vgs 250 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 3.2nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 166pF @ 40V
電力 - 最大 870mW
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOP

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