DMTH6016LPDQ-13

MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI506
DMTH6016LPDQ-13 P1
DMTH6016LPDQ-13 P1
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Diodes Incorporated ~ DMTH6016LPDQ-13

品番
DMTH6016LPDQ-13
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI506
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- DMTH6016LPDQ-13 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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製品パラメータ

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品番 DMTH6016LPDQ-13
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Standard
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 19 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 17nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 864pF @ 30V
電力 - 最大 2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
サプライヤデバイスパッケージ PowerDI5060-8

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