DMT3009LDT-7

MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8
DMT3009LDT-7 P1
DMT3009LDT-7 P1
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Diodes Incorporated ~ DMT3009LDT-7

品番
DMT3009LDT-7
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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製品パラメータ

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品番 DMT3009LDT-7
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET機能 Standard
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 30A
Rds On(Max)@ Id、Vgs 11.1 mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 20nC @ 15V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1500pF @ 15V
電力 - 最大 1.2W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-VDFN Exposed Pad
サプライヤデバイスパッケージ V-DFN3030-8 (Type K)

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