DMN2016UTS-13

MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP
DMN2016UTS-13 P1
DMN2016UTS-13 P1
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Diodes Incorporated ~ DMN2016UTS-13

品番
DMN2016UTS-13
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- DMN2016UTS-13 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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製品パラメータ

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品番 DMN2016UTS-13
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 8.58A
Rds On(Max)@ Id、Vgs 14.5 mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id 1V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 16.5nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1495pF @ 10V
電力 - 最大 880mW
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
サプライヤデバイスパッケージ 8-TSSOP

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