DMN1023UCB4-7

MOSFET BVDSS 8V-24V U-WLB1010-4
DMN1023UCB4-7 P1
DMN1023UCB4-7 P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Diodes Incorporated ~ DMN1023UCB4-7

品番
DMN1023UCB4-7
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET BVDSS 8V-24V U-WLB1010-4
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- DMN1023UCB4-7 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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製品パラメータ

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品番 DMN1023UCB4-7
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
FET機能 -
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) -
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 5.1A (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 23 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id 1.2V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs -
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds -
電力 - 最大 -
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 4-UFBGA, WLBGA
サプライヤデバイスパッケージ U-WLB1010-4

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